[发明专利]生产太阳能级硅的系统和方法有效
| 申请号： | 200810215937.5 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101386412A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | T·F·麦努尔蒂;B·G·诺尔曼;M·P·德艾芙琳;R·舒巴 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025;F02B43/10;F02B63/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张群峰;刘华联 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 生产太阳能级硅的系统和方法，其中包含硅石和碳的起始材料被加热形成中间材料。该中间材料包含硅石和碳化硅。所述中间材料反应形成硅。通过加热起始材料以及使中间材料反应所产生的至少一些排放物被收集并用于产生电力。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 太阳 能级 系统 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：加热包含硅石的材料和烃类材料以形成包含硅石和碳的起始材料；使所述包含硅石和碳的起始材料反应形成包含硅石和碳化硅的中间材料；使所述中间材料反应形成硅；收集通过形成所述起始材料以及使所述起始材料或所述中间材料反应所产生的至少一些排放物；以及使用所收集的排放物来产生电力。
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