[发明专利]形成铁电体膜的方法、铁电体膜、铁电体器件和液体排出装置

摘要

本发明涉及形成铁电体膜的方法、铁电体膜、铁电体器件和液体排出装置。为了能够在A位掺杂至少5摩尔％的给体离子，在满足式(1)和(2)，或式(3)和(4)的条件下，通过溅射技术在面对具有预定组成的靶(T)的基板(20，B)上形成含有式(P)：(Pb_1-x+δM_x)(Zr_yTi_1-y)O_z的钙钛矿型氧化物的铁电体膜(40)，式(P)中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，0.05≤x≤0.4，并且0＜y≤0.7，标准组成是使得δ＝0和z＝3的组成，式(1)至(4)中的Ts(℃)表示成膜温度，D(mm)表示所述基板和所述靶之间的间隔距离。400≤Ts(℃)≤500 (1)；30≤D(mm)≤80 (2)；500≤Ts(℃)≤600 (3)；30≤D(mm)≤100 (4)。

主权项

1.一种用于在基板上形成铁电体膜的方法，所述铁电体膜含有由下面显示的式(P)表示的钙钛矿型氧化物，其中设置靶和所述基板，使得所述靶和所述基板可以保持相互面对，其中所述的靶具有根据要形成的铁电体膜的膜组成的组成，并且在满足下面显示的式(1)和(2)的成膜条件下通过溅射技术形成所述铁电体膜：(Pb1-x+δMx)(ZryTi1-y)Oz (P)其中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，x表示满足0.05≤x≤0.4的条件的数值，并且y表示满足0＜y≤0.7的条件的数值，标准组成是使得δ＝0和z＝3的组成，条件是在能够获得所述钙钛矿结构的范围内，δ值和z值分别可以偏离0和3的标准值，400≤Ts(℃)≤500 (1)30≤D(mm)≤80 (2)，其中Ts(℃)表示成膜温度，并且D(mm)表示所述基板和所述靶之间的间隔距离。