[发明专利]高精度超薄玻璃基片制备工艺

摘要

本发明公开了影响高精度超薄基片质量的关键工艺，其具体是精磨、抛光浆料筛选和配制；精磨、抛光设备工艺参数程序设置；玻璃基片的平面度检测和玻璃基片抛光后表面进行质量检验。本发明的有益效果是：用上述的本发明的关键工艺对激光光盘母盘玻璃基片和集成电路掩膜版基片进行加工，使基片平行度、平面度、光洁度、粗糙度技术指标达到要求。

主权项

1. 一种高精度超薄玻璃基片制备工艺，工艺流程包括：划料→外型检验→厚度匹配→整形→平面度检验→成型→外径检验→精磨→平面度、表面质量检验→厚度匹配→粗抛→表面质量检验→精抛→超声清洗→成品终检→封装打包，其特征在于，影响高精度超薄基片质量的关键工艺为：(1)精磨、抛光浆料筛选和配制；(一)将精磨粉和水的重量比为1/3放于储液桶，浸泡10~20分钟，用孔径为8~12μm筛网过筛，除去大颗粒精磨粉和沉在桶底杂质，再用孔径为4~6μm筛网过筛，除去细颗粒精磨粉和沉在桶底杂质；(二)将抛光粉和水的重量比为1/33放于储液桶，添加2.5~3.5％的悬浮剂和1.5~2.5％的硝酸锌溶液，浸泡10~15小时，用孔径为1.8~2.5μm的筛网过筛，除去大颗粒抛光粉和沉在桶底杂质，再用0.8~1.2μm的过滤器过滤，除去细颗粒抛光粉和浮于液面上的杂质，将配制好的抛光粉浆料用密度计进行测量，控制浆料浓度比例在1.075~1.080之间粉投入抛光工序使用；(2)精磨、抛光设备工艺参数程序设置精磨、抛光时间、压力、转速及上下磨盘转速比程序组合控制过程分三个阶段，即轻压阶段、重压阶段及修研阶段：轻压阶段工艺技术参数设置如下；参数设置 时间(秒) 压力(公斤) 转速(转/分)精磨 120～180 100～120 10～15粗抛光 180～240 180～240 10～15精抛光 30～60 80～100 10～12重压阶段工艺技术参数设置如下：参数设置 时间(秒) 压力(公斤) 转速(转/分)精磨 600～1200 180～220 40～45粗抛光 1800～3000 240～320 30～40精抛光 600～900 240～260 30～35修研阶段工艺技术参数设置如下；参数设置 时间(秒) 压力(公斤) 转速(转/分)精磨 60～120 150～180 30～35粗抛光 120～180 180～240 25～30精抛光 60～120 180～200 20～30(3)玻璃基片的平面度检测(一)精磨后玻璃基片的平面度检测用专利号为：200510025358.0基片抛光前工序平面度检测仪对精磨后玻璃基片的平面度进行检测；(二)抛光后玻璃基片的平面度检测用向美国ZYG0公司购买ZYGO干涉仪对抛光后玻璃基片的平面度检测；(4)玻璃基片抛光后表面进行质量检验用由本公司设计制造的专利号为03021617.8的高亮度超光洁检测装置对玻璃基片抛光后表面进行质量检验