[发明专利]复合结构透明导电膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810205224.0 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101465172A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 章俞之;宋力昕;曹韫真;齐振一;范秋林;胡行方 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;G02F1/1333;C23C14/35;C23C14/08;B32B9/04;B32B27/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种复合结构透明导电膜及其制备方法，尤其涉及一种采用磁控溅射工艺制备的复合结构透明导电膜及其制备方法，属于真空镀膜与光电子器件技术领域。本方法的复合结构透明导电膜具有多层结构，包括柔性基材层(1)；在柔性基材层上的SiO2或Al2O3中间层(2)；和在中间层上的ITO导电层(3)。本发明的制备方法通过增加中间层、控制工艺参数，制备得到的透明导电膜表面电阻在50～600Ω/□、可见光550nm波段透光率82～98％，适于显示器件和太阳薄膜电池等领域应用。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 结构 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、复合结构透明导电膜，其特征在于，具有多层结构，包括柔性基材层(1)；在柔性基材层上的SiO2或Al2O3中间层(2)；和在中间层上的ITO导电层(3)。
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