[发明专利]共享字线的分栅式闪存无效
| 申请号： | 200810204971.2 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101465161A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 顾靖 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/115;G11C16/26;G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种共享字线的分栅式闪存，其包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；字线，设置于所述源极区域和漏极区域之间；第一存储位单元，位于所述字线与所述源极区域之间；第二存储位单元，位于所述字线与所述漏极区域之间，其中所述两个存储位单元与所述字线之间由隧穿氧化层隔开，所述两个存储位单元分别具有第一控制栅、第一浮栅和第二控制栅、第二浮栅，所述两个控制栅具有间隔地分别设置于所述两个浮栅上。本发明提出的共享字线的分栅式闪存，其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片的面积，同时也可以避免过擦除的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 共享 分栅式 闪存 | ||
【主权项】：
1. 一种共享字线的分栅式闪存，其特征在于包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；字线，设置于所述源极区域和漏极区域之间；第一存储位单元，位于所述字线与所述源极区域之间；第二存储位单元，位于所述字线与所述漏极区域之间，其中所述两个存储位单元与所述字线之间由隧穿氧化层隔开，所述两个存储位单元分别具有第一控制栅、第一浮栅和第二控制栅、第二浮栅，所述两个控制栅具有间隔地分别设置于所述两个浮栅上。
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