[发明专利]分离外延层与衬底的方法有效
| 申请号： | 200810200190.6 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101378008A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 王建峰;徐科;张永红 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215125江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种分离外延层与衬底的方法，包括如下步骤：(a)提供衬底；(b)在衬底表面生长插入层，生长温度为T1；(c)在插入层远离衬底一侧生长外延层，生长温度为T2，所述T2＞T1，并且T2大于插入层材料的分解温度和发生相分离的温度中的较低者；(d)将温度降低至室温。本发明的优点在于，当外延层的生长温度大于插入层材料的分解温度和发生相分离的温度中的较低者，插入层在生长外延层的过程中形成孔洞结构或者发生相分离，在从高温降低到室温的过程中，利用衬底材料与外延材料之间的热应力实现衬底与外延层的自动分离。该技术方案无须额外的制备工艺，包括光刻、曝光、刻蚀等复杂工艺，无须高能激光，避免了热效应带来的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 外延 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分离外延层与衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)提供衬底；(b)在衬底表面生长插入层，所述插入层为化合物材料，生长温度为T1；(c)在插入层远离衬底一侧生长外延层，生长温度为T2，所述T2>T1，并且T2大于插入层材料的分解温度和发生相分离的温度中的较低者；(d)将温度降低至室温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
