[发明专利]金属和碳纳米管或碳纤维薄膜发射阵列阴极及其制作方法无效
| 申请号： | 200810200043.9 | 申请日： | 2008-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101355001A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 丁桂甫;姚锦元;王艳;邓敏;诸利达 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微电子技术领域的金属和碳纳米管或碳纤维薄膜发射阵列阴极及其制作方法，阴极结构包括基片、底电极、电阻层、发射极、支撑墙、绝缘层、栅极以及聚焦极，在基片上面首先有底电极层，层面上有一层电阻层，金属和碳纳米管或碳纤维的复合薄膜沉积在电阻层上作为发射极，底电极在平面具有图形化结构，在其间隙部位设有支撑墙结构，在支撑墙结构上设置绝缘层，而栅极结构悬空制作在绝缘层上，聚焦极在整体结构的最上层，上述的结构层都经过图形化处理。本发明采用微细加工方法和薄膜技术制作图形化结构，可实现复杂结构的场发射阴极阵列，采用的复合电镀方法可与其他微细加工工艺相集成。器件制备工艺简单易行，可以降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 纳米 碳纤维 薄膜 发射 阵列 阴极 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属和碳纳米管或碳纤维薄膜发射阵列阴极，其特征在于，包括基片、底电极、电阻层、发射极、支撑墙、绝缘层、栅极以及聚焦极，在基片上面首先有底电极层，层面上有一层电阻层，金属和碳纳米管或碳纤维的复合薄膜沉积在电阻层上作为发射极，底电极在平面具有图形化结构，在其间隙部位设有支撑墙结构，在支撑墙结构上设置绝缘层，而栅极结构悬空制作在绝缘层上，聚焦极在整体结构的最上层，上述的结构层都经过图形化处理。
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