[发明专利]用于图案化薄膜晶体管—液晶装置中的电路的蚀刻剂组合物有效
| 申请号： | 200810186959.3 | 申请日： | 2008-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101451241A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 金南绪;姜东浒;李骐范;曹三永 | 申请（专利权）人： | 株式会社东进世美肯 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘粉宝 |
| 地址： | 韩国大韩民国仁川广*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻剂组合物，其用于蚀刻用于形成薄膜晶体管-液晶装置(TFT-LCD)的电极的金属层。所述蚀刻剂组合物包括以蚀刻剂组合物的总重量计45重量％到70重量％的磷酸、1.5重量％到6重量％的硝酸、10重量％到30重量％的乙酸、0.01重量％到3重量％的Mo蚀刻控制剂、0.1重量％到1.999重量％的硫酸化合物，并且其余为水。TFT-LCD的蚀刻剂组合物适于在不存在侧蚀或突起现象的情况下在单一工序中湿式蚀刻构成源极/漏极的Mo单层以及构成栅极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层并提供优良的锥形蚀刻概况。另外，因为不使用干式蚀刻法，所以制造过程得以简化，生产能力增加并且制造成本降低。此外，甚至在不包括对环境有害的材料(例如过亚氯酸盐(perchlorite)、降低蚀刻剂组合物寿命的不稳定材料或腐蚀用作衬底的玻璃的基于氟的化合物)的情况下，可通过仅一次湿式蚀刻Mo单层、Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层来获得优良锥形概况。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图案 薄膜晶体管 液晶 装置 中的 电路 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
1、一种蚀刻剂组合物，其包含：以所述蚀刻剂组合物的总重量计45重量％到70重量％的磷酸、1.5重量％到6重量％的硝酸、10重量％到30重量％的乙酸、0.01重量％到3重量％的Mo蚀刻控制剂、0.1重量％到1.999重量％的硫酸化合物，并且其余为水。
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