[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，准备分别具有包含低介电常数膜布线层叠构造部(3)、并且平面尺寸不同的多个半导体形成区域(22a、22b)的晶片加工体。在所需半导体形成区域(22a)的切割道(23)上及其直线延长上，照射激光束，去除所需半导体形成区域(22a)及非所需半导体形成区域(22b)的低介电常数膜布线层叠构造部(3)的一部分区域，来形成沟槽(25、26、42、43)，在非所需半导体形成区域(22b)内形成的沟槽(26、43)内及低介电常数膜布线层叠构造部(3)上形成保护膜(9)。在保护膜(9)上，形成上层布线(11)及密封膜(15)，将半导体晶片(21)沿着切割道(23)进行切断。

主权项

1、一种半导体器件的制造方法，其特征为，包含：准备晶片加工体的工序，该晶片加工体在半导体晶片(21)的一面上，具有分别包含低介电常数膜布线层叠构造部(3)、并且平面尺寸不同的多个半导体形成区域(22a、22b)，上述低介电常数膜布线层叠构造部(3)层叠有低介电常数膜(4)和布线(5)；选定上述半导体形成区域(22a、22b)之中至少1个平面尺寸的半导体形成区域(22a、22b)，来作为所需半导体形成区域(22a)，选定上述半导体形成区域(22a、22b)之中的、上述所需半导体形成区域(22a)的切割道(23)在该半导体形成区域(22a、22b)的区域内横贯的至少另1个平面尺寸的半导体形成区域(22a、22b)，来作为非所需半导体形成区域(22b)，在包含上述所需半导体形成区域(22a)的切割道(23)在内的规定宽度区域及上述规定宽度区域的直线延长上照射激光束，去除与上述所需半导体形成区域(22a)的上述规定宽度区域及上述非所需半导体形成区域(22b)的上述规定宽度区域的直线延长上对应的上述低介电常数膜布线层叠构造部(3)的区域，来形成沟槽(25、26、42、43)的工序；至少在上述非所需半导体形成区域(22b)内形成的上述沟槽(26、43)内及上述低介电常数膜布线层叠构造部(3)上，形成保护膜(9)的工序；在上述所需半导体形成区域(22a)内的上述保护膜(9)上，形成与上述低介电常数膜布线层叠构造部(3)的上述布线(5)连接的上层布线(11)的工序；在上述所需半导体形成区域(22a)内的上述低介电常数膜布线层叠构造部(3)上及上述上层布线(11)上，形成密封膜(15)的工序；以及至少将上述保护膜(9)及上述密封膜(15)的一个以及上述半导体晶片(21)，沿着上述切割道(23)进行切断的工序。