[发明专利]热处理装置和使用该热处理装置的液化气体供应装置有效
| 申请号： | 200810184234.0 | 申请日： | 2008-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101431012A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 横木和夫;小浦辉政;木本雅裕 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 吴 鹏;牛晓玲 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种热处理装置和使用该热处理装置的液化气体供应装置。本发明要解决的问题是利用单个能源产生多个冷源和热源，并提供一种紧凑的但高性能的热处理装置和一种使用该热处理装置的液化气体供应装置。本发明的热处理装置的其特征在于，该装置利用单个制冷机(71)的系统产生具有不同温度的多种冷却介质，利用所述冷却介质在多个热处理部分即液化机构(3a)、存储机构(3b)和汽化机构(3c)执行冷却处理或者加热处理，并且同时控制至少一种所述冷却介质的温度以便将其用作所述热处理部分即液化机构(3a)、存储机构(3b)和汽化机构(3c)的热处理的基准冷源。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 使用 液化 气体 供应 | ||
【主权项】：
1. 一种热处理装置，其特征在于，使用单个制冷机系统来产生具有不同温度的多种冷却介质，利用所述冷却介质在多个热处理部分实施冷却处理或者加热处理，并且同时控制至少一种所述冷却介质的温度以便将其用作所述热处理部分的热处理的基准冷源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，未经乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810184234.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电致发光元件形成方法
- 下一篇：旋转操作型电气部件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
