[发明专利]一种存储单元及制造存储单元阵列的方法

摘要

本发明公开了一种存储单元及制造存储单元阵列的方法。本发明所公开的存储单元包含一存储单元层具有一第一介电层于该底电极层之上、一第二介电层于该第一介电层之上、及一顶电极于该第二介电层之上。该多个介电层定义一介层孔，具有一第一部分由该第一介电层及该底电极所限定，及一第二部分由该第二介电层及该顶电极所限定。一存储元件于该介层孔内，与该顶电极及该底电极电性连接。该介层孔的该第一及第二部分分别包含一狭隘、能量集中区域部分及一放大部分。该狭隘部分可以具有一宽度，其小于用来形成该介层孔的该放大部分所用的一光刻工艺最小特征尺寸。

主权项

1、一种存储单元，其特征在于，包含：一底电极层包含一底电极；一存储单元层于该底电极层之上，该存储单元层包含：一第一介电层于该底电极层之上；一第二介电层于该第一介电层之上；一顶电极于该第二介电层之上，该顶电极与该底电极分离；该第一及第二介电层定义一介层孔，该介层孔具有一第一部分由该第一介电层及该底电极所限定，及一第二部分由该第二介电层及该顶电极所限定，该第一部分小于该第二部分且置于该第二部分的中央之上；以及一存储元件于该介层孔内，该存储元件包含一存储材料可通过施加能量而在电性状态间切换，该存储元件与该顶电极及该底电极电性连接。