[发明专利]太阳能电池和太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 200810178488.1 | 申请日: | 2008-12-01 |
公开(公告)号: | CN101447516A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 木下敏宏 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种抑制贯通孔的内壁面与贯通孔电极之间短路的发生的太阳能电池和太阳能电池的制造方法。包括对贯通孔的内壁面进行各向异性蚀刻的第一蚀刻工序、和对受光面进行各向异性蚀刻的第二蚀刻工序,在第一蚀刻工序中使用高浓度NaOH液(约5重量%),在第二蚀刻工序中使用低浓度NaOH液(约1.5重量%)。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种太阳能电池,其特征在于,包括:半导体基板,其具有第一主面和第二主面的第一导电型;半导体区域,其设置在所述半导体基板的所述第一主面上,并具有第二导电型;贯通孔,其设置在所述半导体基板的多处,并从所述第一主面贯通至第二主面;贯通孔电极,其设置在所述贯通孔,并将所述半导体区域上收集的载流子导向所述第二主面一侧;绝缘层,其在所述贯通孔的内壁面和所述贯通孔电极之间设置,所述贯通孔的所述内壁面的至少一部分,形成得比所述第一主面更加平坦。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的