[发明专利]太阳能电池和太阳能电池的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810178488.1 申请日: 2008-12-01
公开(公告)号: CN101447516A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 木下敏宏 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/18
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人: 龙 淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种抑制贯通孔的内壁面与贯通孔电极之间短路的发生的太阳能电池和太阳能电池的制造方法。包括对贯通孔的内壁面进行各向异性蚀刻的第一蚀刻工序、和对受光面进行各向异性蚀刻的第二蚀刻工序,在第一蚀刻工序中使用高浓度NaOH液(约5重量%),在第二蚀刻工序中使用低浓度NaOH液(约1.5重量%)。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
1. 一种太阳能电池,其特征在于,包括:半导体基板,其具有第一主面和第二主面的第一导电型;半导体区域,其设置在所述半导体基板的所述第一主面上,并具有第二导电型;贯通孔,其设置在所述半导体基板的多处,并从所述第一主面贯通至第二主面;贯通孔电极,其设置在所述贯通孔,并将所述半导体区域上收集的载流子导向所述第二主面一侧;绝缘层,其在所述贯通孔的内壁面和所述贯通孔电极之间设置,所述贯通孔的所述内壁面的至少一部分,形成得比所述第一主面更加平坦。
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