[发明专利]三氯硅烷制造装置及三氯硅烷制造方法有效

专利信息
申请号: 200810170083.3 申请日: 2008-10-22
公开(公告)号: CN101417804A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 稻叶力 申请(专利权)人: 三菱麻铁里亚尔株式会社
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 温大鹏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种三氯硅烷制造装置及三氯硅烷制造方法,即使在反应炉上部也可使从反应炉下部导入的氯化氢气体有效地参与反应,提高反应效率。在三氯硅烷制造装置中,利用氯化氢气体使供给到反应炉内的金属硅粉末一边流动一边发生反应,从反应炉的上部取出通过该反应生成的三氯硅烷。在反应炉的内部空间中沿上下方向设有多根气流控制构件。
搜索关键词: 硅烷 制造 装置 方法
【主权项】:
1. 一种三氯硅烷制造装置,包括:反应炉;原材料供给装置,向上述反应炉内供给作为原材料的金属硅粉末;气体供给装置,为了使上述金属硅粉末与氯化氢气体一边流动一边反应而向上述反应炉供给上述氯化氢气体;气体排出装置,将含有通过反应生成的三氯硅烷的气体从上述反应炉的上部取出;以及多根气流控制构件,在上述反应炉的内部空间中沿垂直方向设置。
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