[发明专利]注入虚置图案的方法及掩模有效
申请号: | 200810169112.4 | 申请日: | 2008-10-27 |
公开(公告)号: | CN101487973A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 徐景馨;罗增锦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G06F17/50 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨;郑小军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种注入虚置图案的方法及掩模,该方法包括提供包括主要图案的窗口区,其中主要图案包括具有第一结构类型的第一图案及具有第二结构类型的第二图案,且第一结构类型与第二结构类型是不同的类型,全面性地于窗口区注入第一虚置图案,其中第一虚置图案为第一结构类型的虚置图案,放大主要图案以产生放大型主要图案,其中放大型主要图案占据窗口区的放大区域,自第一虚置图案移除第一虚置图案位于放大区域中的部分,以产生第一反相虚置图案,及结合主要图案中的第一图案与第一反相虚置图案,以产生第一结构类型的第一掩模图案。本发明中GDS文件尺寸增加可缩到最小,虚置图案的注入加快,减少产品定案负担,并可较佳的保护技术机密。 | ||
搜索关键词: | 注入 图案 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种注入虚置图案的方法,包括:提供包括一主要图案的一窗口区,其中该主要图案包括具有一第一结构类型的第一图案及具有一第二结构类型的第二图案,且其中该第一结构类型与该第二结构类型是不同的类型;全面性地于该窗口区注入第一虚置图案,其中所述第一虚置图案为所述第一结构类型的虚置图案;放大该主要图案以产生一放大型主要图案,其中该放大型主要图案占据该窗口区的一放大区域;自所述第一虚置图案移除所述第一虚置图案位于该放大区域中的部分,以产生第一反相虚置图案;以及结合该主要图案中的所述第一图案与所述第一反相虚置图案,以产生所述第一结构类型的第一掩模图案。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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