[发明专利]溴化镧铈闪烁晶体的制造方法在审
| 申请号： | 200810167894.8 | 申请日： | 2008-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101723433A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 郝佳 | 申请（专利权）人： | 郝佳 |
| 主分类号： | C01F17/00 | 分类号： | C01F17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种溴化镧铈闪烁晶体的制备方法，其特点是：在配置溴化镧铈晶体生长原料时掺入了其它离子(加固剂)以增大晶体的抗裂强度，这种加固剂离子可以是三价离子，也可以是二价或四价离子；晶体采用特制悬挂石英坩埚下降法生长。本发明由于加固剂离子的位错钉扎作用，阻止了位错扩散和晶面滑移，有效地防止了晶体在生长和加工过程中的开裂，大大提高了所制备的溴化镧铈单晶体的强度，提高了晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 溴化镧铈 闪烁 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溴化镧铈晶体的制备方法，化学成分中包含加固剂成分，该晶体的化学通式为(CexRyLa1-x-y)Br3，其中0.01≤x≤0.99，0.01≤y≤0.2，0≤x+y≤1。其中R是代表+3价离子加固剂，它可以是Ga、In、Tl、Sc、Bi组中的一种或数种元素的组合。
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