[发明专利]SOI衬底的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体衬底的制造方法，该半导体衬底具备即使是在使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底的情况下、也可以实际使用的单晶半导体层。通过激发源气体产生等离子体，从单晶半导体衬底的一个表面添加等离子体中所包含的离子种，从而形成损伤区域；在单晶半导体衬底的另一个表面上形成绝缘层；以中间夹着绝缘层的方式而将支撑衬底与单晶半导体衬底紧贴，以使其面对单晶半导体衬底；通过加热单晶半导体衬底，在损伤区域中进行分离，将它分离成贴合有单晶半导体层的支撑衬底和单晶半导体衬底；对贴合在支撑衬底上的单晶半导体层的表面进行干法刻蚀；通过对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的至少一部分熔化，从而使单晶半导体层再单晶化。

主权项

1.一种SOI衬底的制造方法，其特征在于，包括以下工序：通过产生等离子体并将所述等离子体中所包含的离子种添加到单晶半导体衬底，从而在所述单晶半导体衬底中形成损伤区域；在所述单晶半导体衬底上形成绝缘层；以中间夹着所述绝缘层的方式将支撑衬底与所述单晶半导体衬底接合，以使其面对所述单晶半导体衬底；通过加热所述单晶半导体衬底，在所述损伤区域将单晶半导体层从所述单晶半导体衬底分离，并且将所述单晶半导体层贴合在所述支撑衬底上；对所述单晶半导体层进行干法刻蚀；以及用激光束照射所述单晶半导体层。