[发明专利]抗腐蚀类金刚石薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810143000.1 | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101768011A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张俊彦;王舟;王成兵;王琦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗腐蚀类金刚石薄膜的制备方法。本发明采用等离子体增强化学气相沉积技术，在硅片上沉积一层类金刚石薄膜。该方法成本低廉而且容易操作，制备的薄膜均匀，薄膜与基底的结合紧密，薄膜具有优良的抗电化学腐蚀特性。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗腐蚀类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：A将预先清洁后的硅片连续放入丙酮、乙醇中超声清洗，然后转移至真空腔，放置在下部的基底盘上，基底盘和射频电源及负偏压电源相连；抽真空直到腔内真空度小于2.0×10-3Pa；B通入氩气，在脉冲负偏压300伏特条件下进行等离子体清洗，用以除去表面残留的杂质和污染物；C通入甲烷和氢气，在射频电源100W，脉冲负偏压200伏特、沉积气压13帕条件下镀膜2-3小时。
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