[发明专利]发光二极管及发光二极管效能控制方法无效
| 申请号： | 200810135795.1 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101629679A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 沈伟;李远林;杨玉千 | 申请（专利权）人： | 光燿科技股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V1/00;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及发光二极管效能控制方法，此控制方法包括：首先，预先设定发光二极管的发光效能预设标准值；接着，测量待测发光二极管的发光效能；之后，计算待测发光二极管的发光效能与预设标准值的差异值；最后，根据此差异值，于发光二极管发光路径中的至少一元件上形成破坏性结构，破坏性结构的范围与差异值成正比。经由破坏性结构改变发光二极管发光路径中的元件的光学特性，使发光路径中的元件发光效率下降、不发光或降低其光穿透率，可使每个发光二极管具有一致的发光效能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 效能 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括一基板，所述基板上设置有一第一金属接脚和一第二金属接脚，所述第一金属接脚上设置有一发光芯片，所述发光芯片一侧形成一第一出光面；所述发光芯片与所述第二金属接脚之间连接有一导线；所述发光芯片可发出光束，所述光束由所述第一出光面射出并形成发光路径；其特征在于：所述发光路径中的至少一元件上形成有破坏性结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光燿科技股份有限公司，未经光燿科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810135795.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种卧式冷柜冷凝器
- 下一篇：用稀土氧化物涂层抗燃油喷嘴组件积碳的方法
