[发明专利]互连、互连形成方法、薄膜晶体管及显示器有效
| 申请号： | 200810135255.3 | 申请日： | 2003-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101373736A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 门昌辉;青森繁;山元良高 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的互连形成方法，包括：在绝缘膜(13)上形成金属扩散阻挡膜(14)的步骤；利用无电镀工艺在金属扩散阻挡膜(14)上选择性地形成金属晶种层(18)的步骤；利用电镀工艺在金属晶种层(18)上选择性地形成金属导电层(20)的步骤；以及利用金属导电层(20)作掩模刻蚀金属扩散阻挡膜(14)的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 形成 方法 薄膜晶体管 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种互连形成方法，包括：在绝缘基底(13)上形成铜扩散阻挡膜(14)的步骤；利用无电敷镀工艺在铜扩散阻挡膜(14)上选择性地形成铜晶种层(18)，从而该铜晶种层的侧表面垂直于该绝缘基底(13)的表面的步骤；利用电镀工艺在铜晶种层(18)上选择性地形成铜导电层(20)的步骤；以及利用铜导电层(20)作为掩模刻蚀铜扩散阻挡膜(14)，从而该阻挡膜(14)的侧表面垂直于该绝缘基底(13)的表面的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
