[发明专利]含有数据线位元切换传输晶体管的位元线感测放大器有效
| 申请号： | 200810132314.1 | 申请日： | 2008-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101329901A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 夏浚 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电路及方法，用以实现随机存取存储器中具有数据线位元切换传输晶体管的位元线感测放大器。所述电路包括位元线感测放大器，包含有复数个第一MOS晶体管；一对位元切换传输晶体管，作为场效晶体管开关，由第二MOS晶体管组成，其栅极氧化层厚度大于该第一MOS晶体管的栅极氧化层厚度；及一对数据线，分别连接该对位元切换传输晶体管之一端，其另一端分别连接至该位元线感测放大器的连接点。其中，随机存取存储器以CMOS技术制造，具有最佳化的操作特性，包含有良好的写入稳定性及高写入速度，且其位元切换场效晶体管的布局面积与芯片大小可最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 数据线 位元 切换 传输 晶体管 线感测 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种包含有数据线位元切换传输晶体管的位元线感测放大器电路，用于随机存取存储器装置中，其包含有：一位元线感测放大器，包含有复数个第一MOS晶体管；一对位元切换传输晶体管，作为场效晶体管开关，由第二MOS晶体管组成，其栅极氧化层厚度大于该第一MOS晶体管的栅极氧化层厚度；及一对数据线，分别连接该对位元切换传输晶体管之一端，其另一端分别连接至该位元线感测放大器的连接点。
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