[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200810130772.1 | 申请日： | 2008-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101533216A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 文载寅 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种制造半导体器件的方法。曝光掩模使得能够形成精细图案，通过防止在第一图案与第二图案之间的间隔中产生浮渣，从而能够实现半导体器件的高度集成。所述曝光掩模包括第一图案及与所述第一图案邻近的第二图案。在所述第一图案与所述第二图案之间形成有间隔。所述第一图案及所述第二图案可各自包括与所述间隔邻近的方波形边缘。所述方波形边缘包括多个凹入部分及凸起部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种曝光掩模，包括：第一图案；以及第二图案，其与所述第一图案邻近，在所述第一图案与所述第二图案之间形成有间隔，其中，所述第一图案包括与所述间隔邻近的方波形边缘，所述方波形边缘包括多个凹入部分及凸起部分。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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