[发明专利]一种硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810122222.5 申请日: 2008-11-04
公开(公告)号: CN101404313A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 陈培良;马向阳;李东升;杨德仁 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 韩介梅
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明的硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件,在n型硅衬底的正面自下而上依次沉积SiO2薄膜、ZnO薄膜、MgxZn1-xO(0<x≤0.3)薄膜和半透明电极,在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。制备步骤依次为:用电子束蒸发或等离子体增强化学气相沉积法在清洗的n型硅片上生长SiO2薄膜;用直流反应磁控溅射或溶胶-凝胶法在SiO2薄膜上生长ZnO薄膜并在氧气氛下进行热处理;用直流反应磁控溅射或溶胶-凝胶法在ZnO薄膜上生长MgxZn1-xO薄膜;在MgxZn1-xO薄膜和硅衬底背面分别溅射半透明电极和欧姆接触电极。本发明的硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件结构简单,在直流正向和反向偏压下均可产生紫外电致发光。
搜索关键词: 一种 氧化锌 双向 直流 紫外 电致发光 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件,其特征是在硅衬底(1)的正面自下而上依次沉积有SiO2薄膜(2)、ZnO薄膜(3)、MgxZn1-xO薄膜(4)、0<x≤0.3,和半透明电极(5),在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极(6)。
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