[发明专利]一种InP-InAsP纳米线LED及其制备方法有效
| 申请号： | 200810122000.3 | 申请日： | 2008-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101399306A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 沈常宇;金尚忠;彭德光;林科;周盛华;古元华 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所 | 代理人： | 吴秉中 |
| 地址： | 310018浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种InP-InAsP纳米线LED及其制备方法，属于发光二极管技术领域。包括衬底，衬底的一面自下而上依次沉积设置p-InP纳米线层、InAsxP1-x纳米线阵列和n-InP纳米线层，衬底的另一面沉积设置第一电极，n-InP纳米线层上沉积设置第二电极，InAsxP1-x纳米线阵列为LED的有源层，其中x值的范围为0～0.6。本发明以InAsP纳米线阵列作为有源层，可获得较高发光效率；根据不同场合或不同客户的需要，通过对InAsP纳米线阵列的尺寸等进行控制调节，可得到不同波段的出射光，可制备出发红光、红外光和中红外光等多种颜色的发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp inasp 纳米 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种InP-InAsP纳米线LED及其制备方法，其特征在于包括衬底(2)，衬底(2)的一面自下而上依次沉积设置p-InP纳米线层(3)、InAsxP1-x纳米线阵列(4)和n-InP纳米线层(5)，衬底(2)的另一面沉积设置第一电极(1)，n-InP纳米线层(5)上沉积设置第二电极(6)，InAsxP1-x纳米线阵列(4)为LED的有源层，其中x值的范围为0～0.6。
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