[发明专利]栅极结构的制造方法有效
| 申请号： | 200810112503.2 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587834A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;陈海华;黄怡;段晓斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅极结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：在半导体衬底表面形成有栅极多晶硅层；在所述栅极多晶硅层上形成硬膜层；在硬膜层表面形成硼掺杂层；对所述半导体衬底进行磷离子注入；将栅极结构图形转移至硼掺杂层和硬膜层；以硼掺杂层和硬膜层为掩膜刻蚀栅极多晶硅层，刻蚀过程中硼掺杂层被部分或全部消耗；去除硬膜层。由于在进行磷离子注入时，半导体衬底表面具有硼掺杂层，阻止了过量磷注入到栅极多晶硅层中，同时改变了磷在栅极多晶硅层中的分布，可以显著降低截止漏电流向增大的方向发散，同时又不影响N-MOS的其他性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：在半导体衬底表面形成有栅极多晶硅层；在所述栅极多晶硅层上形成硬膜层；在硬膜层表面形成硼掺杂层；对所述半导体衬底进行磷离子注入；将栅极结构图形转移至硼掺杂层和硬膜层；以硼掺杂层和硬膜层为掩膜刻蚀栅极多晶硅层，刻蚀过程中硼掺杂层被部分或全部消耗；去除硬膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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