[发明专利]CMOS器件钝化层形成方法

摘要

一种CMOS器件钝化层形成方法，通过在覆盖第一晶体管的第一钝化层上形成材料异于所述第一钝化层的介质层，继而，再形成覆盖所述介质层和第二晶体管且填充覆盖所述介质层后的第一应力体和所述第二应力体间的间隔区域的第二钝化层。可使具有不同应力类型的钝化层间交界处的平滑度满足工艺要求。

主权项

1.一种CMOS器件钝化层形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包含至少一个CMOS器件，所述CMOS器件包含至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管，所述第一晶体管为NMOS晶体管时，所述第二晶体管为PMOS晶体管；所述第一晶体管为PMOS晶体管时，所述第二晶体管为NMOS晶体管；形成覆盖所述第一晶体管和第二晶体管的第一钝化层，在所述第一晶体管上覆盖所述第一钝化层后形成第一应力体；在所述第一钝化层上形成材料异于所述第一钝化层的介质层；去除覆盖第二晶体管的所述第一钝化层和介质层；形成覆盖所述介质层和第二晶体管的第二钝化层，在所述第二晶体管上覆盖所述第二钝化层后形成第二应力体，且所述第二钝化层填充所述第一应力体和所述第二应力体间的间隔区域；形成图形化的抗蚀剂层，所述图形化的抗蚀剂层覆盖涂覆介质层后的所述第一应力体和第二应力体；以所述抗蚀剂层为掩膜，以覆盖所述第一钝化层的介质层为刻蚀停止层，去除部分第二钝化层；去除所述抗蚀剂层；以所述介质层为掩模，去除部分第二钝化层，使在所述间隔区域内所述第一钝化层和第二钝化层的表面平齐。