[发明专利]一种单根碳纳米管电子场发射阴极及其制备方法无效
| 申请号： | 200810103521.4 | 申请日： | 2008-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101261916A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王鸣生;彭练矛;陈清 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 邵可声 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单根碳纳米管电子场发射阴极及其制备方法，属于碳纳米管应用领域。用做电子场发射阴极的碳纳米管有一锥状端部，锥状端部为闭口的单壁或双壁管结构，所述锥状结构以下为多壁管结构。该碳纳米管的制备方法是用一金属丝获取多壁碳纳米管；用一金属针尖接触金属丝上的一根多壁碳纳米管；金属丝与金属针尖之间加匀速递增的电压，使单根碳纳米管在电流作用下变细至断裂，得到带有锥状端部的碳纳米管。这种碳纳米管在发射性能上兼具单壁管和多壁管的优点，发射稳定，开启电压低，能承受较大的电流，且获取也相对容易。此外，其锥状尖端曲率半径还可以可控增大，其相应的最大可承受电流也因此不断提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单根碳 纳米 电子 发射 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种单根碳纳米管电子场发射阴极，其特征在于所述碳纳米管有一锥状端部，所述锥状端部为闭口的单壁或双壁管结构，所述锥状端部以下为多壁管结构。
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