[发明专利]一种标准单元库的设计方法和装置有效

专利信息
申请号: 200810101589.9 申请日: 2008-03-07
公开(公告)号: CN101526967A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 罗晋;马亮;张现聚;倪伟新 申请(专利权)人: 北京芯慧同用微电子技术有限责任公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 许 静
地址: 100083北京市海淀区知春*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种标准单元库的设计方法和装置,所述设计方法包括获取单元高度的步骤,所述获取单元高度的步骤包括:根据单位驱动反相器单元的尺寸和晶体管串联比例得到单元高度;所述单元高度为水平布线间距的整数倍,且大于或等于第一数值、第二数值和第三数值三者之和:所述第一数值为单位驱动反相器单元的N型晶体管的沟道宽度与最大串联级数的N型晶体管的串联比例的乘积;所述第二数值为单位驱动反相器单元的P型晶体管的沟道宽度与最大串联级数的P型晶体管的串联比例的乘积;所述第三数值为设计规则限制的长度和。通过使用本发明,可以大大降低单元尺寸与版图结构不匹配的情况,减小版图面积,提高版图设计的效率。
搜索关键词: 一种 标准 单元 设计 方法 装置
【主权项】:
1.一种标准单元库的设计方法,包括获取单元高度的步骤,其特征在于,所述获取单元高度的步骤包括:根据单位驱动反相器单元的尺寸和晶体管串联比例得到单元高度;所述单元高度为水平布线间距的整数倍,且大于或等于第一数值、第二数值和第三数值三者之和:所述第一数值为单位驱动反相器单元的N型晶体管的沟道宽度与最大串联级数的N型晶体管的串联比例的乘积;所述第二数值为单位驱动反相器单元的P型晶体管的沟道宽度与最大串联级数的P型晶体管的串联比例的乘积;所述第三数值为设计规则限制的长度和。
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