[发明专利]一种标准单元库的设计方法和装置

权利要求书

1.一种标准单元库的设计方法，包括获取单元高度的步骤，其特征在于，所述获取单元高度的步骤包括：

根据单位驱动反相器单元的尺寸和晶体管串联比例得到单元高度；

所述单元高度为水平布线间距的整数倍，且大于或等于第一数值、第二数值和第三数值三者之和：

所述第一数值为单位驱动反相器单元的N型晶体管的沟道宽度与最大串联级数的N型晶体管的串联比例的乘积；

所述第二数值为单位驱动反相器单元的P型晶体管的沟道宽度与最大串联级数的P型晶体管的串联比例的乘积；

所述第三数值为设计规则限制的长度和。

2.根据权利要求1所述标准单元库的设计方法，其特征在于，根据单位驱动反相器单元的尺寸和晶体管串联比例得到单元高度的方法具体包括：

根据最小布线通道个数和水平布线间距，得到第一单元高度；

将所述第一数值、第二数值和第三数值三者之和作为第二单元高度；

判断所述第一单元高度是否大于或等于所述第二单元高度；

所述第一单元高度大于或等于所述第二单元高度时，将所述第一单元高度作为所述单元高度。

3.根据权利要求2所述标准单元库的设计方法，其特征在于，根据单位驱动反相器单元的尺寸和晶体管串联比例得到单元高度的方法具体还包括：

所述第一单元高度小于所述第二单元高度时，执行优化操作，直至优化后的第一单元高度大于或等于优化后的第二单元高度，将所述优化后的第一单元高度作为所述单元高度。

4.根据权利要求2所述标准单元库的设计方法，其特征在于，所述第一单元高度为所述水平布线间距的整数倍，且为单元高度的最小值。

5.根据权利要求3所述标准单元库的设计方法，其特征在于，所述第一单元高度小于所述第二单元高度时，执行优化操作的方法具体为：

减小所述最大串联级数的N型晶体管的串联比例和最大串联级数的P型晶体管的串联比例；和/或

减小所述单位驱动反相器单元的尺寸；和/或

减小晶体管串联级数；和/或

增加所述水平布线通道个数。

6.一种标准单元库的设计装置，包括单元高度获取子模块，其特征在于，

所述单元高度获取子模块，用于根据单位驱动反相器单元的尺寸和晶体管串联比例得到单元高度；

所述单元高度为水平布线间距的整数倍，且大于或等于第一数值、第二数值和第三数值三者之和：

所述第一数值为单位驱动反相器单元的N型晶体管的沟道宽度与最大串联级数的N型晶体管的串联比例的乘积；

所述第二数值为单位驱动反相器单元的P型晶体管的沟道宽度与最大串联级数的P型晶体管的串联比例的乘积；

所述第三数值为设计规则限制的长度和。

7.根据权利要求6所述标准单元库的设计装置，其特征在于，所述单元高度获取子模块进一步包括：

第一单元高度获取单元，用于根据最小布线通道个数和水平布线间距，得到第一单元高度；

第二单元高度获取单元，用于将所述第一数值、第二数值和第三数值三者之和作为第二单元高度；

判断单元，用于判断所述第一单元高度是否大于或等于所述第二单元高度；

单元高度获取单元，用于当所述第一单元高度大于或等于所述第二单元高度时，将所述第一单元高度作为所述单元高度。

8.根据权利要求7所述标准单元库的设计装置，其特征在于，所述单元高度获取子模块还包括：

优化单元，用于当所述第一单元高度小于所述第二单元高度时，执行优化操作，并将优化结果发送给所述判断单元。

9.根据权利要求7所述标准单元库的设计装置，其特征在于，所述第一单元高度为所述水平布线间距的整数倍，且为单元高度的最小值。

10.根据权利要求8所述标准单元库的设计装置，其特征在于，所述优化单元进一步包括：

第一优化子单元，用于减小所述最大串联级数的N型晶体管的串联比例和最大串联级数的P型晶体管的串联比例；和/或

第二优化子单元，用于减小所述单位驱动反相器单元的尺寸；和/或

第三优化子单元，用于减小所述晶体管串联级数；和/或

第四优化子单元，用于增加所述水平布线通道个数。