[发明专利]一种包含热保护底电极的相变化存储单元及其制作方法

摘要

本发明公开了一种包含热保护底电极的相变化存储单元及其制作方法。依据此处所公开的存储装置的一种实施例，该存储单元包含一底电极，位于底电极上的一热保护结构，以及位于该热保护结构上的多层堆栈。该热保护结构包含一热保护材料层，该热保护材料的导热系数低于底电极材料的导热系数。

主权项

1、一种存储装置，其特征在于，包含：一底电极，包含一底电极材料；一热保护结构位于该底电极之上，该热保护结构包含一热保护材料层，该热保护材料具有低于该底电极材料的一导热系数；以及一多层堆栈位于该热保护结构之上，该多层堆栈包含一顶电极位于一相变化核心之上，该相变化核心包含具有至少二固态相的一相变化材料，其中该多层堆栈在一第一方向上具有一第一宽度，该第一宽度小于该热保护材料层的宽度，以及在一第二方向上具有一第二宽度，该第二宽度小于该热保护材料层的宽度，而该第二方向与该第一方向垂直。