[发明专利]发光元件无效
申请号: | 200810095239.6 | 申请日: | 2008-05-05 |
公开(公告)号: | CN101304065A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 秋元克弥 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种发光元件,其在抑制放射角产生的发光强度和波长的分散同时,可提高光取出效率。在基板(1)上具有含有发光层(4)的化合物半导体层的发光元件(10),该发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部分上具备介电率变化结构(11),该介电率变化结构为,对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内(6a)的光子晶体结构,随机变动所述介电率的二维点阵状的周期性,从而得到非旋转对称性的介电率分布。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件,其为在基板上具有含有发光层的化合物半导体层的发光元件,其特征在于,所述发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部份上具备介电率变化结构,所述介电率变化结构为,对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内的光子晶体结构,随机变动所述介电率的二维点阵状的周期性,从而得到非旋转对称性的介电率分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立电线株式会社,未经日立电线株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810095239.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种固化托盘
- 下一篇:无线通讯系统查询数据传输状况的方法及其相关装置