[发明专利]制造有机发光设备的方法有效

专利信息
申请号: 200810093544.1 申请日: 2008-04-25
公开(公告)号: CN101296537A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 德永雄三;大塚学;真下精二;远藤太郎;西田直哉 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;H05B33/22;H05B33/14
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 魏小薇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开一种制造有机发光设备的方法,所述有机发光设备包括基底、形成在所述基底上的有机发光器件、以及形成在所述有机发光器件的外周上的器件分离膜,所述有机发光器件从基底侧依次包括下电极、有机化合物层、以及上电极,所述方法包括:通过在10Pa或更高~10000Pa或更低的范围内的压力下,在将至少包含氧气的气体引入气体环境中并且排出所述气体的同时,用UV光照射至少具有下电极和所述下电极上形成的器件分离膜的基底,从而清洁所述基底;在清洁后的下电极上形成有机化合物层;以及在所述有机化合物层上形成上电极。
搜索关键词: 制造 有机 发光 设备 方法
【主权项】:
1.一种制造有机发光设备的方法,所述有机发光设备包括基底、形成在所述基底上的有机发光器件、以及形成在所述有机发光器件的外周上的器件分离膜,所述有机发光器件从基底侧依次包括下电极、有机化合物层、以及上电极,所述方法包括:通过在10Pa或更高~10000Pa或更低的范围的压力下,在将至少包含氧气的气体引入气体环境中并且排出所述气体的同时,用UV光照射至少形成有下电极和器件分离膜的基底,从而清洁所述基底;在清洁后的下电极上形成有机化合物层;以及在所述有机化合物层上形成上电极。
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