[发明专利]透反液晶显示装置有效
| 申请号： | 200810091769.3 | 申请日： | 2008-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101285976A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 森健一;坂本道昭;永井博;中谦一郎 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;郇春艳 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了增大透反液晶显示装置的孔径比并且抑制光泄漏。提供了一种透反液晶显示装置，包括：在单位像素内，包括反射器和成对的像素电极和公共电极的反射区域，和包括成对的像素电极和公共电极的透射区域；提供给该反射区域和该透射区域的液晶层；用于该反射区域和该透射区域、提供在该反射器的底层、以通过跟随该公共电极的电位来改变该像素电极的电位的存储电容；以及用于抑制当由于在该反射器和像素电极之间产生的电容耦合使像素电极受该反射器的电位的影响时产生在液晶层的光泄漏的抑制装置。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种透反液晶显示装置，包括：在单位像素内，具有反射器以及成对的像素电极和公共电极的反射区域，和具有成对的像素电极和公共电极的透射区域；以及提供给所述反射区域和所述透射区域的液晶层，所述透反液晶显示装置还包括：用于所述反射区域和所述透射区域的存储电容，提供在所述反射器的底层内，以通过跟随所述公共电极的电位来改变所述像素电极的电位；以及抑制装置，用于抑制当由于在所述反射器和所述像素电极之间产生的电容耦合使所述像素电极受所述反射器的电位的影响时产生在所述液晶层的光泄漏。
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