[发明专利]蚀刻溶液、基板的表面处理方法及形成浅沟槽隔离的方法有效
| 申请号： | 200810091200.7 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101314852A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 吴家伟;谢荣裕;杨令武 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻溶液、基板的表面处理方法以及形成浅沟槽隔离的方法。此蚀刻溶液是用以进行半导体基板的表面处理，此蚀刻溶液包括氧化剂以及氧化物移除剂。氧化剂是用以氧化半导体基板为半导体氧化物。氧化物移除剂用以移除上述的半导体氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 溶液 表面 处理 方法 形成 沟槽 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻溶液，用以进行半导体基板的表面处理，该蚀刻溶液包括：氧化剂，用以氧化该半导体基板为半导体氧化物；以及氧化物移除剂，用以移除该半导体氧化物。
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