[发明专利]蚀刻溶液、基板的表面处理方法及形成浅沟槽隔离的方法有效
| 申请号： | 200810091200.7 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101314852A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 吴家伟;谢荣裕;杨令武 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 溶液 表面 处理 方法 形成 沟槽 隔离 | ||
1.一种蚀刻溶液，用以进行半导体基板的表面处理，该蚀刻溶液组成为：
氧化剂，用以氧化该半导体基板为半导体氧化物；以及
氧化物移除剂，用以移除该半导体氧化物；
去离子水，
其中，该氧化剂为双氧水，该氧化物移除剂为氢氧化铵，该氧化物移除剂所占的体积比例大于该氧化剂所占的体积比例，该氧化物移除剂、该氧化剂及该去离子水的体积比例为2～4∶1∶80～200。
2.如权利要求1所述的蚀刻溶液，
其中，该氧化物移除剂、该氧化剂及去离子水的体积比例为4∶1∶110。
3.一种蚀刻溶液，用以进行半导体基板的表面处理，该蚀刻溶液组成为：
氧化剂，用以氧化该半导体基板为半导体氧化物；以及
氧化物移除剂，用以移除该半导体氧化物；
去离子水，
其中该氧化剂为双氧水，该氧化物移除剂为氟化氢，该氧化物移除剂、该氧化剂及去离子水的体积比例为1∶2∶500。
4.一种半导体基板的表面处理方法，包括：
提供半导体基板；以及
使该半导体基板接触蚀刻溶液，组成为氧化剂、氧化物移除剂及去离子水；
其中，该氧化剂用以将该半导体基板氧化为半导体氧化物，以及该氧化物移除剂用以移除该半导体氧化物，该氧化剂为双氧水，该氧化物移除剂为氢氧化铵，该氧化物移除剂所占的体积比例大于该氧化剂所占的体积比例，该氧化物移除剂、该氧化剂及该去离子水的体积比例为2～4∶1∶80～200。
5.一种半导体基板的表面处理方法，包括：
提供半导体基板；以及
使该半导体基板接触蚀刻溶液，组成为氧化剂、氧化物移除剂及去离子水；
其中，该氧化剂用以将该半导体基板氧化为半导体氧化物，以及该氧化物移除剂用以移除该半导体氧化物，该氧化剂为双氧水，该氧化物移除剂为氟化氢，该氧化物移除剂、该氧化剂及该去离子水的体积比例为1∶2∶500。
6.一种形成浅沟槽隔离的方法，包括：
提供半导体基板，该半导体基板具有沟槽；
形成衬垫层于该沟槽的表面；
充填介电材料于该沟槽中；以及
使该半导体基板接触蚀刻溶液，以进行该半导体基板的表面处理，该蚀刻溶液组成为氧化剂、氧化物移除剂及去离子水，
其中，该氧化剂用以将该半导体基板氧化为半导体氧化物，以及该氧化物移除剂用以移除该半导体氧化物，该氧化剂为双氧水，该氧化物移除剂为氢氧化铵，该氧化物移除剂所占的体积比例大于该氧化剂所占的体积比例，该氧化物移除剂、该氧化剂及该去离子水的体积比例为2～4∶1∶80～200。
7.一种形成浅沟槽隔离的方法，包括：
提供半导体基板，该半导体基板具有沟槽；
形成衬垫层于该沟槽的表面；
充填介电材料于该沟槽中；以及
使该半导体基板接触蚀刻溶液，以进行该半导体基板的表面处理，该蚀刻溶液组成为氧化剂、氧化物移除剂及去离子水，
其中，该氧化剂用以将该半导体基板氧化为半导体氧化物，以及该氧化物移除剂用以移除该半导体氧化物，该氧化剂为双氧水，该氧化物移除剂为氟化氢，该氧化物移除剂、该氧化剂及该去离子水的体积比例为1∶2∶500。
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