[发明专利]电子束设备无效
| 申请号： | 200810090063.5 | 申请日： | 2008-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101281840A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 伊庭润;东尚史 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J29/04;H01J31/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子束设备。在后板上设置有形成一空间的三维结构，器件电极的布线侧部分位于所述空间中。所述三维结构的表面电势被限定为使得所述空间的电场强度比下式表示的平均电场强度弱：平均电场强度＝Va/d，其中Va是阳极电极的施加电压，并且d是后板与前板之间的间隔。器件电极包括高温部，在电流流经所述器件电极时在所述高温部中局部升温。所述高温部位于所述空间内，或者位于距离所述空间小于或等于20μm的位置处。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 设备 | ||
【主权项】：
1、一种电子束设备，包括：后板，所述后板包括具有器件电极的电子发射器件，以及与所述器件电极连接的布线；和前板，所述前板包括阳极电极，所述前板是面对所述后板设置的，并且被从所述电子发射器件发射的电子所照射；其中在所述后板上设置有三维结构，所述三维结构形成一空间，所述器件电极的布线侧部分位于所述空间中；其中所述三维结构的表面电势被限定为使得所述空间的电场强度比下式表示的平均电场强度弱，平均电场强度＝Va/d，其中Va是所述阳极电极的施加电压，并且d是所述后板与所述前板之间的间隔；并且其中所述器件电极包括高温部，在电流流经所述器件电极时在所述高温部中局部升温，所述高温部位于所述空间内，或者位于距离所述空间小于或等于20μm的位置处。
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