[发明专利]荧光灯及其制造方法无效
| 申请号： | 200810087252.7 | 申请日： | 2008-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101271823A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 今田浩二;真野泰广 | 申请（专利权）人： | NEC照明株式会社 |
| 主分类号： | H01J61/35 | 分类号： | H01J61/35;H01J9/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;郇春艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种荧光灯及以低成本制造该荧光灯的方法，该荧光灯能够对发自荧光物质的荧光展现出显著增强的透光度以获得较高亮度，同时实现电力节约，而无需增加所使用材料的种类数和处理步骤数。这种荧光灯包括将稀有气体和用于通过放电而产生紫外线的汞封装在内的透明管，形成于所述透明管内表面的荧光物质层，以及在所述透明管内表面与荧光物质层之间延展的表面、所述透明管外表面的至少一者上配备的折射率调节层，该折射率调节层包含平均颗粒直径不超过300nm的氧化钇。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光灯 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种荧光灯，其包括：将稀有气体和用于通过放电而产生紫外线的汞封装在内的透明管、配备在所述透明管两端部附近的电极、以及在所述透明管内表面上形成的荧光物质层，其中，在所述透明管内表面与荧光物质层之间延展的表面、所述透明管的外表面的至少一者上配备折射率调节层，且所述折射率调节层包含平均颗粒直径不高于300nm的氧化钇。
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