[发明专利]标记体及其制造方法无效
| 申请号： | 200810083080.6 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101329425A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 渡边真也 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/42 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种可以承受PLC所需的热处理温度的标记体。在硅衬底上层叠下覆盖层、标记体、圆柱部分、埋层和上覆盖层。标记体通过形成在氧化硅膜构成的埋层中的空穴来形成。因此，与由金属等构成的标记体相比，可以显著提高热抵抗力。此外，空穴内的折射系数约为1，因此可以在空穴周围材料的衍射系数和空穴内的衍射系数之间具有足够的差别。这可以实现高对比度的标记体。 | ||
| 搜索关键词： | 标记 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种标记体，包括标记，通过光辐射识别该标记的存在，其中：该标记形成在透明层内部，且该标记通过衍射所辐射的光而在周围和其自身之间产生对比差。
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