[发明专利]用发射光谱学/残余气体分析仪结合离子电流的剂量测定有效
| 申请号： | 200810082733.9 | 申请日： | 2008-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101256942A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 卡提克·雷马斯瓦米;塞奥－米·乔;田中努;马耶德·阿里·福阿德 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明主要提供了在等离子体工艺中控制实时离子剂量的方法和装置。在一个实施例中，离子剂量可利用从质量分布传感器的等离子体的原地测量结合从射频探针的原地测量进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 发射光谱 残余 气体 分析 结合 离子 电流 剂量 测定 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板的方法，包括：在等离子体反应器中定位基板，该等离子体反应器配置成执行等离子体工艺；在等离子体反应器中产生等离子体，通过将射频偏压施加到等离子体反应器启动等离子体工艺；利用第一传感器获得等离子体的至少一个属性的值，该第一传感器配置成监控等离子体反应器中产生的等离子体的至少一个属性；利用第二传感器获得射频偏压源的至少一个属性的值，该第二传感器配置成监控射频偏压源的至少一个属性，该射频偏压源配置成将射频偏压施加到等离子体反应器；以及从等离子体的至少一个属性值和射频偏压源的至少一个属性值确定等离子体中一个或多个离子元素的实时剂量值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
