[发明专利]抗晃电智能交流接触器有效
申请号: | 200810072005.X | 申请日: | 2008-10-28 |
公开(公告)号: | CN101393819A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 许志红 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01H47/00 | 分类号: | H01H47/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350002*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种抗晃电智能交流接触器,包括大功率整流电路D,采样电路E,dU/dt检测电路Z,大功率开关管A、B,光耦隔离器F、G,开关管T,储能器V,反激式拓扑电路StackFETTM,高频变压器S,单片机系统P,通信模块Q,光耦合器件的电源U及接触器本体;本发明具有在晃电事故发生时“自保持”、不发生晃电事故时正常分断的功能,并具有宽电压工作范围、交直流通用的智能控制模块,实现了体积小、寿命高、工作可靠、可通信、抗晃电等特点,应用前景广泛。 | ||
搜索关键词: | 抗晃电 智能 交流 接触器 | ||
【主权项】:
1、一种抗晃电智能交流接触器,包括大功率整流电路D,采样电路E,dU/dt检测电路Z,大功率开关管A、B,光耦隔离器F、G,开关管T,储能器V,反激式拓扑电路StackFETTM,高频变压器S,单片机系统P,通信模块Q,光电耦合器件的电源U及接触器本体;其特征在于;所述的大功率整流电路D的输入端[1]、[2]接电源,输出端分别并接采样电路E和dU/dt检测电路Z,所述的dU/dt检测电路Z的正端接大功率开关管A的输入端,所述的大功率开关管A输出端与大功率开关管B的输出端相连接,所述的大功率开关管A、B分别接有光耦隔离器F、G,所述的大功率开关管A、B之间还依次并接有电磁线圈C和开关管T,开关管T的另一端接储能器V,所述的高频变压器S的一路供电输出端的一端与储能器V的另一端、电磁线圈C的另一端和dU/dt检测电路Z的负极相连接,另一端与大功率开关管B的输入端相连接,形成高压起动回路和低压保持回路,高电压起动回路由所述的大功率开关管A导通形成回路;低电压保持回路由所述的大功率开关管B导通形成;所述的反激式拓扑电路StackFETTM由π型滤波器H,LinkSwitch-TN芯片M,MOSFET功率管L,分压稳压电路I、J和缓冲与钳位电路K组成;其并接在dU/dt检测电路Z的两端,依次将π型滤波器H与分压稳压电路I、J组成的串连电路,缓冲与钳位电路K、MOSFET功率管L、LinkSwitch-TN芯片M组成的串连电路并联;所述的MOSFET功率管L的一个输入端接在分压稳压电路I、J之间;所述的缓冲与钳位电路K的两端与高频变压器S的输入端相连;所述的高频变压器S具有四路相互独立的输出电源,分别为单片机系统P,通信模块Q,光电耦合器件的电源U及上述的低压保持回路供电;所述的光电耦合器件的电源U的输入端接有反馈电路N,其将采集的电信号反馈给LinkSwitch-TN芯片M,从而构成稳定的直流电源;所述的接触器本体可以采用整块钢结构的铁心,而且无须在铁心端面安装分磁环;其电磁线圈C一端接在大功率开关管A、B之间,另一端与dU/dt检测电路Z的负端相连接;晃电故障发生时,电源电压发生突变,dU/dt检测电路Z输出一个突变信号[6]给单片机系统P,单片机系统P发出触发信号[7],导通开关管T,起动储能器件V,使接触器本体维持吸持状态;dU/dt检测电路Z无信号输出时,储能回路不导通,一旦接到采样电路E发出的断电指令[3],单片机系统P发出触发信号[5]通过光电耦合隔离器G控制大功率开关管B关断,接触器本体正常分断电路;采样电路E检测电源电压在设定的接触器本体允许工作电压范围内,智能控制模块进入起动控制阶段,单片机系统通过光电耦合隔离器F给大功率开关管A施加一个触发控制信号[4],由此信号决定强激磁的施加与关断时间,在合适时间通过光电耦合隔离器G施加触发信号[5]控制大功率开关管B接通,同时通过光电耦合隔离器F控制大功率开关管A关断,接触器本体转入节能无声运行状态。
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