[发明专利]冶金硅中杂质硼的去除方法无效
| 申请号： | 200810071194.9 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101597063A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋光辉 | 申请（专利权）人： | 佳科太阳能硅(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李 宁 |
| 地址： | 361000福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种冶金硅中杂质硼的去除方法，包括以下步骤：将冶金硅粉，放在酸中浸泡6小时～48小时酸洗，再清洗、烘干；经酸洗、清洗、烘过的硅粉放入反应器中加热到300℃～700℃，然后通入氧化性气体进行氧化反应，反应时间为6小时～72小时；经加热氧化过的硅粉，放入水或者酸中浸泡1小时～6小时，再清洗干净；浸泡、清洗后的硅粉，在100℃～300℃温度下进行烘烤，烘烤时间为6小时～24小时。采用本发明冶金硅的提纯工艺，由于在较低的温度下完成提纯，操作更加容易简单，同时降低了提纯成本，这样就为后道工序提供优质原料，以满足低成本生产太阳能级多晶硅的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 冶金 杂质 去除 方法 | ||
【主权项】：
1、一种冶金硅中杂质硼的去除方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，酸洗：将冶金硅粉，放在酸中浸泡6小时～48小时，再清洗、烘干；第二步，加热氧化：经第一步酸洗、清洗、烘过的硅粉放入反应器中加热到300℃～700℃，然后通入氧化性气体进行氧化反应，反应时间为6小时～72小时；第三步，浸泡：经第二步加热氧化过的硅粉，放入水或者酸中浸泡1小时～6小时，再清洗干净；第四步，烘烤：将第三步浸泡、清洗的硅粉，在100℃～300℃温度下进行烘烤，烘烤时间为6小时～24小时。
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