[发明专利]一种硅的冶炼方法无效
| 申请号： | 200810070924.3 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101559947A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 郑智雄;林霞;戴文伟;胡满根;闻震利;洪紫州 | 申请（专利权）人： | 厦门市三晶阳光电力有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361000福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅的冶炼方法。本发明通过在碳粉和二氧化硅粉混匀体中加入碱性溶液腐蚀二氧化硅粉体的表面，而后800℃~1000℃下将前述加入碱性溶液的碳粉和二氧化硅混合粉末挤压成块状，使碳、二氧化硅粉体的表面充分结合，增加反应接触面，并使碱性溶液中的水份蒸发，从而提供了一种生产成本低，操作步骤简单的金属硅冶炼方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冶炼 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅的冶炼方法，包括以下步骤：A、取重量比为1∶3的碳、二氧化硅粉碎至40目以下，混合均匀；B、加入浓度为20％~30％、体积为前述混合粉末的1/4～1/2的碱性溶液搅拌混匀1～3小时后，在800℃~1000℃下将前述粉末挤压成块状；C、将步骤B中得到的块状物切割成1～3cm3的长方体或正方体块料，投入电弧炉中冶炼得到纯度大于99％的金属硅。
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