[发明专利]热发射电子源的制备方法在审
| 申请号： | 200810066570.5 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101556888A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 肖林;刘亮;刘长洪;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种热发射电子源的制备方法，其包括以下步骤：制备一碳纳米管薄膜；提供一含有低逸出功材料或低逸出功材料前驱物的溶液，采用此溶液浸润上述碳纳米管薄膜；采用机械方法处理浸润后的碳纳米管薄膜形成一碳纳米管绞线；烘干该碳纳米管绞线；激活烘干后的碳纳米管绞线，得到热发射电子源。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热发射电子源的制备方法，包括以下步骤：制备一碳纳米管薄膜；提供一含有低逸出功材料或者低逸出功材料前驱物的溶液，采用此溶液浸润上述碳纳米管薄膜；采用机械方法处理浸润后的碳纳米管薄膜形成一碳纳米管绞线；烘干该碳纳米管绞线；以及激活烘干后的碳纳米管绞线，即得到热发射电子源。
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