[发明专利]碳纳米管场发射显示器的制备方法无效
| 申请号： | 200810066296.1 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101556887A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 王泽元;张家寿 | 申请（专利权）人： | 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J9/00;H01J31/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种碳纳米管场发射显示器的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在基底上沉积与显示器的显示点阵相对应的阴极电极；形成催化剂层，即催化剂粉末自组装于阴极电极上；生成碳纳米管，即在催化剂层的辅助作用下，在阴极电极上生长碳纳米管；形成绝缘层，即在基底上形成一绝缘层，该绝缘层上具有与阴极电极相对应的微孔；形成栅极电极，即在绝缘层表面沉积栅极电极；以及封装显示器，即提供一荧光屏，将荧光屏与基底封接，形成碳纳米管场发射显示器。该碳纳米管场发射显示器的制备方法利用自组装方式将催化剂粉末接合到基底上，形成催化剂层，进而可均匀且选择性地生长碳纳米管，制备亮度分布均匀的碳纳米管场发射显示器。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 发射 显示器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管场发射显示器的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在基底上沉积与显示器的显示点阵相对应的阴极电极；形成催化剂层，即催化剂粉末自组装于阴极电极上；生成碳纳米管，即在催化剂层的辅助作用下，在阴极电极上生长碳纳米管；形成绝缘层，即在基底上形成一绝缘层，该绝缘层上具有与阴极电极相对应的微孔；形成栅极电极，即在绝缘层表面沉积栅极电极；以及封装显示器，即提供一荧光屏，将荧光屏与基底封接，形成碳纳米管场发射显示器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司，未经富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810066296.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
