[发明专利]一种硅基表面电子发射器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基表面电子发射器件及其制备方法。该器件在n型硅衬底的正面沉积有SiO₂或Al₂O₃薄膜层，在SiO₂或Al₂O₃薄膜层上沉积有栅电极，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极。其制备步骤如下：先清洗n型硅片；然后用热氧化法或化学气相沉积法或蒸发法或溅射法或溶胶－凝胶法在硅片上沉积SiO₂或Al₂O₃薄膜；再在SiO₂或Al₂O₃薄膜上溅射栅电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明的硅基表面电子发射器件具有较高发射电子能量，高场发射稳定性好，可以用于制备场发射显示器。器件制备工艺简单，与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。

主权项

1.一种硅基表面电子发射器件，其特征是在n型硅衬底(1)的正面沉积有SiO2或Al2O3薄膜层(2)，在SiO2或Al2O3薄膜层上沉积有栅电极(3)，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极(4)。