[发明专利]一种硅基表面电子发射器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200810062159.0 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101286430A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陈培良;马向阳;李东升;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01J1/316 | 分类号： | H01J1/316;H01J1/30;H01J9/02;H01J29/02;H01J29/04;H01J31/12;H01L21/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 电子 发射 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基表面电子发射器件，其特征是在n型硅衬底(1)的正面沉积有SiO2或Al2O3薄膜层(2)，在SiO2或Al2O3薄膜层上沉积有栅电极(3)，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极(4)。
2.根据权利要求1所述的硅基表面电子发射器件的制备方法，其特征是包括以下步骤：
1)对电阻率为0.005-50欧姆·厘米的n型硅片进行清洗；
2)利用热氧化法或化学气相沉积法或蒸发法或溅射法或溶胶-凝胶法在硅片上沉积SiO2或Al2O3薄膜；
3)在SiO2或Al2O3薄膜上溅射栅电极，在n型硅衬底背面溅射欧姆接触电极。
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