[发明专利]基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器无效
| 申请号： | 200810061441.7 | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101335126A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 季振国;席俊华;黄东 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10;H01C7/112 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310018浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器，它是绝缘基底上面沉积的金属电极－氧化锌薄膜－金属电极单元；氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体膜。本发明的低压氧化锌压敏电阻器具有制作工艺简单，阈值电压低，重复性好，工艺可控性强的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 取向 柱状 氧化锌 薄膜 低压 压敏电阻 | ||
【主权项】：
1.一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器，其特征在于，它由金属电极(1)、氧化锌薄膜(2)和金属电极(3)依次连接组成，其中，所述氧化锌薄膜(2)为高度c轴取向的柱状晶体薄膜。
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