[发明专利]高磁导率软磁铁氧体材料及其制造方法有效
| 申请号： | 200810060242.4 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101259999A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 汪作国;王朝明;颜冲;包大新 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118浙江省东阳*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种软磁铁氧体材料与磁芯，尤其是指一种高磁导率软磁铁氧体材料及其制造方法。本发明高磁导率软磁铁氧体材料克服了以往超高μ材料有着高μ的同时，频率特性偏低，且居里温度也较低，因而其使用范围受到限制，本材料采用特殊的配方，使用特殊掺杂，且在有着平衡气氛的烧结环境中烧结，得到性能优良的铁氧体材料。本发明组份包括：Fe2O3在50－56mol％，MnO在23－27mol％，ZnO在20－26mol％，以及副成分；副成分为MoO3在0.12wt％以下，Bi2O3在0.15wt％以下，Nb2O5在0.01－0.1wt％之间。 | ||
| 搜索关键词： | 磁导率 磁铁 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高磁导率软磁铁氧体材料，其组份包括：Fe2O3在50-56mol％，MnO在23-27mol％，ZnO在20-26mol％，以及副成分；副成分为MoO3在0.12wt％以下，Bi2O3在0.15wt％以下，Nb2O5 在0.01-0.1wt％之间，副成分是以主成分总重量为参照按重量百分比加入的。
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