[发明专利]利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片无效

专利信息
申请号: 200810060159.7 申请日: 2008-03-12
公开(公告)号: CN101246162A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 董树荣;韩雁;赵士恒;程维维;王德苗;李侃 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01N33/53 分类号: G01N33/53;G01N29/12
代理公司: 杭州君易知识产权代理事务所 代理人: 陈向群
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于基于压电效应的抗体检测生物芯片,特别是涉及一种利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片;包括谐振器FBAR,在谐振器FBAR上设有上电极、下电极和布拉格反射层全反射膜,其特征在于所述谐振器FBAR上的上电极与下电极之间设有压电薄膜,所述布拉格反射层全反射膜包括高声阻抗和低声阻抗,高声阻抗由金属Mo构成,低声阻抗由金属Al构成;所述FBAR的工作频率在0.1-10GHz,Q值范围100-2000;在上电极上镀有金属层,该金属层上附着有蛋白和抗体组织;本发明能够测量抗体组织与抗体对应的抗原的谐振频率偏移参数,从而获得具体的抗原含量;这种传感器可以集成到芯片中,并且能够实现微量抗体物质的传感,从而为解决在体液环境下的生物极微量物质的测量创造了有利条件。
搜索关键词: 利用 压电 薄膜 声波 器件 抗体 检测 生物芯片
【主权项】:
1、利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片,包括谐振器FBAR,在谐振器FBAR上设有上电极、下电极和布拉格反射层全反射膜,其特征在于所述谐振器FBAR上的上电极与下电极之间设有压电薄膜,所述布拉格反射层全反射膜包括高声阻抗和低声阻抗,高声阻抗由金属Mo构成,低声阻抗由金属Al构成;所述FBAR的工作频率在0.1-10GHz,Q值范围100-2000;在上电极上镀有金属层,该金属层上附着有蛋白。
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