[发明专利]一种纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 200810059995.3 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101252042A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 杜丕一;任招娣;韩高荣;宋晨路;翁文剑;徐刚;沈鸽;赵高凌;张溪文;汪建勋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/005;H01G4/12;H01G13/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器，在基板上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层，硅化钛纳米线底电极层和电介质薄膜层。该电容器采用溶胶－凝胶法制备，对设备要求低，操作方便，易于实现。本发明利用硅化钛纳米线底电极的高比表面积，大大增加电介质和电极接触面积，提高了这种薄膜复合结构的电容量，其电容量为相同尺度普通电极薄膜电容量的3倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 电极 电介质 复合 薄膜 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器，其特征在于：在基板(1)上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层(2)，硅化钛纳米线底电极层(3)和电介质薄膜层(4)。
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