[发明专利]一种纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器，其特征在于：在基板(1)上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层(2)，硅化钛纳米线底电极层(3)和电介质薄膜层(4)。

2、根据权利要求1所述的纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器，其特征在于：基板(1)是玻璃基板、单晶硅基板或多晶硅基板；

3、根据权利要求1所述的纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器，其特征在于：硅化钛导电薄膜层(2)是Ti₅Si₃晶相或TiSi₂晶相，或由Ti₅Si₃和TiSi₂晶相组成。

4、根据权利要求1所述的纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器，其特征在于：所说的硅化钛纳米线底电极层(3)是形态为纳米线、纳米钉、纳米棒、纳米线簇或火箭状纳米线的TiSi晶相或TiSi₂晶相。

5、根据权利要求1所述的纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器，其特征在于：所说的电介质薄膜层(4)为Ba_xSr_1-xTiO₃电介质薄膜，x＝0.3～1。

6、根据权利要求1所述的纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将粉末醋酸钡和碳酸锶溶解于醋酸中，Sr与Ba的摩尔比为0～2.33，搅拌至全部溶解，得到溶液甲；

2)将钛酸四丁脂溶解于乙二醇甲醚中，得到溶液乙；

3)将甲、乙两种溶液按摩尔比为1∶1混合，配制浓度为0.3～0.6mol/l的透明前驱体溶胶Ba_xSr_1-xTiO₃，x＝0.3～1；

4)清洗基板，以化学气相沉积法在基板上依次沉积硅化钛导电薄膜层和硅化钛纳米线底电极层；

5)用提拉法在硅化钛纳米线底电极层上涂覆Ba_xSr_1-xTiO₃前驱体溶胶；

6)在580～640℃热处理30～60min，得到纳米线底电极与电介质复合薄膜电容器。